To se i očekuje Samsung će sljedeće sedmice objaviti početak masovne proizvodnje 3nm čipova, prenosi Yonhap News. Ovo stavlja kompaniju ispred TSMC-a, za koji se očekuje da počne proizvodnju 3nm čipova u drugoj polovini ove godine.
U poređenju sa 5nm procesom (koji je korišćen za Snapdragon 888 i Exynos 2100), Samsungov 3nm čvor će smanjiti površinu za 35%, povećati performanse za 30% i smanjiti potrošnju energije za 50%.
Ovo će se postići prelaskom na Gate-All-Around (GAA) dizajn tranzistora. To je sljedeći korak nakon FinFET-a, jer omogućava smanjenje veličine tranzistora bez ugrožavanja njihove sposobnosti da provode struju. GAAFET dizajn koji se koristi na 3nm čvoru prikazan je na slici ispod.
Američki predsjednik Joe Biden posjetio je fabriku prošlog mjeseca Samsung u Pyeongtaeku kako bi učestvovali u demonstraciji 3nm tehnologije Samsung. Prošle godine su se šuškale da bi kompanija mogla uložiti 10 milijardi dolara u izgradnju 3nm livnice u Teksasu. Ove investicije su porasle na 17 milijardi dolara, a očekuje se da će fabrika početi sa radom 2024. godine.
U svakom slučaju, najveća briga pri kreiranju novog čvora je izlaz. U oktobru prošle godine Samsung izjavio je da se performanse 3nm procesa "približavaju istom nivou kao i 4nm proces". Iako kompanija nije predstavila zvanične podatke, analitičari smatraju da je 4 nm čvor Samsung bio je povezan s problemima proizvodnje.
Druga generacija 3nm čvora se očekuje 2023. godine, a plan kompanije također uključuje 2nm MBCFET čvor 2025. godine.
Možete pomoći Ukrajini u borbi protiv ruskih osvajača. Najbolji način da to učinite je da donirate sredstva Oružanim snagama Ukrajine putem Savelife ili preko službene stranice NBU.
Pročitajte također:
Ostavite odgovor