 для авіації і космосу.){kind=link}
Upravo je najavljeno lansiranje 1 Gbit (128 MB) STT-MRAM diskretnih memorijskih čipova za primjenu u svemiru. Ovo je mnogo puta gušća magnetorezistivna memorija od one ranije ponuđene. Stvarna gustoća postavljanja STT-MRAM memorijskih elemenata povećana je 64 puta, ako govorimo o proizvodima kompanije Micross, koja proizvodi ultra-pouzdano elektroničko punjenje za zrakoplovnu i obrambenu industriju.
STT-MRAM Micross čipovi su bazirani na tehnologiji američke kompanije Avalanche Technology. Avalanche je 2006. osnovao Peter Estakhri, rodom iz Lexara i Cirrus Logica. Pored Avalanche-a, Everspin i Samsung. Prvi radi u saradnji sa GlobalFoundries i fokusira se na izdavanje ugrađenog i diskretnog STT-MRAM-a sa tehnološkim standardima od 22 nm, a drugi (Samsung) uz oslobađanje STT-MRAM-a u obliku 28 nm blokova ugrađenih u kontrolere. Usput, blok STT-MRAM-a kapaciteta 1 Gb Samsung predstavljen prije skoro tri godine.
Zaslugom Microssa može se smatrati izdavanje diskretnog 1Gbit STT-MRAM-a, koji je jednostavan za korištenje u elektronici umjesto NAND-flash-a. STT-MRAM memorija radi u većem temperaturnom opsegu (od -40°C do 125°C) sa skoro beskonačnim brojem ciklusa ponovnog pisanja. Ne boji se zračenja i temperaturnih promjena i može pohraniti podatke u ćelije i do 10 godina, a da ne spominjemo veće brzine čitanja i pisanja, te manju potrošnju energije.
Podsjetimo da STT-MRAM memorija pohranjuje podatke u ćelije u obliku magnetizacije. Ovaj efekat je otkriven 1974. godine tokom razvoja hard diskova u IBM-u. Tačnije, tada je otkriven magnetorezitivni efekat koji je poslužio kao osnova MRAM tehnologije. Mnogo kasnije, predloženo je da se promeni magnetizacija memorijskog sloja korišćenjem efekta prenosa spina elektrona (magnetnog momenta). Tako je nazivu MRAM dodana skraćenica STT. Smjer spintronike u elektronici zasniva se na prijenosu spina, što uvelike smanjuje potrošnju čipova zbog izuzetno malih struja u procesu.
Pročitajte također: