 для обчислень в оперативній пам'яті.){kind=link}
Kompanija Samsung objavio je da je prvi u svijetu demonstrirao MRAM (magnetorestive random access memory) tehnologiju za računanje u memoriji. Rad kompanije pod nazivom "Unakrsni magnetorezistivni uređaji za računarstvo u memoriji" objavljen je u časopisu Nature.
Podaci se obično pohranjuju u DRAM velike brzine procesora. Međutim, MRAM menja situaciju i integriše skladištenje podataka i računanje, omogućavajući da se oboje dešava na istom čipu. Teoretski, operacije se u ovom slučaju izvode mnogo brže, jer nema potrebe za prijenosom podataka iz memorije procesora i obrnuto. Osim toga, postiže se značajna ušteda električne energije, jer se obrada podataka odvija u memoriji na vrlo paralelan način.
Ova demonstracija predstavlja proboj jer, dok su druga računarska rješenja u memoriji kao što su PRAM i RRAM već demonstrirana, radni MRAM je bilo prilično teško postići, uglavnom zbog njegove niske otpornosti. Takođe je bilo nemoguće iskoristiti prednost MRAM-ove energetske efikasnosti u standardnoj računarskoj arhitekturi u memoriji.
Kompanija Samsung omogućio je MRAM pomoću vlasničkog MRAM niza čipa koji koristi Resistance Sum umjesto standardnog Current-Sum za rješavanje problema otpora.
Rješenje je testirano korištenjem aplikacija umjetne inteligencije (AI) i pokazalo je 98% tačnosti u klasifikaciji rukom pisanih cifara i 93% tačnosti u otkrivanju lica na slikama. Samsung tvrdi da se MRAM tehnologija može koristiti za AI obradu i za stvaranje AI čipova visokih performansi.
Dr. Seunchul Jung, prvi autor rada, rekao je: “Računanje u pamćenju je slično mozgu u smislu da se u mozgu računanje također odvija u mrežama biološke memorije ili sinapsama – tačkama gdje se neuroni dodiruju. U stvari, iako izračunavanje koje obavlja naša MRAM mreža ima drugačiju svrhu od izračunavanja koje obavlja mozak za sada, takva memorijska mreža čvrstog stanja može se u budućnosti koristiti kao platforma za simulaciju mozga simulacijom komunikacije moždane sinapse."
Pročitajte također: